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九峰山实验室今日官微消息，九峰山实验室近日在磷化铟(InP)材料领域取得重要技术突破，成功开发出6英寸磷化铟(InP)基PIN结构探测器和FP结构激光器的外延生长工艺，技术突破的意义远不止单一材料需求暴增，更标志着我国在高端半导体材料领域从“被动跟随”到“主动定义规则”的历史性转折。