附图为特斯拉（Tesla）构想中的 "Terafab" 项目，这是一个旨在实现 AI 5 芯片全垂直整合的宏大制造蓝图。该流程旨在将从原材料到最终部署的每一个环节都纳入特斯拉的直接掌控之下。

以下是该制造流程的四个核心阶段：
1. 第一阶段：太瓦级投入与准备 (Tera-Scale Input & Preparation)
原材料提取： 摄入硅锭、稀土和液体碱等原始材料。
晶体生长与切割： 生长硅晶体并将其切割、抛光成 2nm 超薄晶圆。
规模： 目标产能为每月 100,000 片晶圆。

2. 第二阶段：晶圆制造 (Wafer Fabrication - 2nm 节点)
这是制造的核心，采用了最前沿的半导体技术：
沉积与涂层： 使用原子层沉积（ALD）和化学气相沉积（CVD）技术。
ASML 高数值孔径 (High-NA) EUV 光刻： 利用最先进的光刻机进行电路图案化，采用半掩模版设计（Half-Reticle）。
蚀刻与离子注入： 形成 3D 结构并进行电学性能改性。
金属化： 建立多层铜互连导线。

3. 第三阶段：先进封装 (Advanced Packaging - "护城河")
特斯拉将其视为竞争优势的核心：
3D 堆叠： 通过硅通孔（TSV）技术进行芯片堆叠。
逻辑与内存整合： 将逻辑芯片与高带宽内存（HBM）垂直整合。
晶圆级测试： 在封装阶段进行严苛的分类测试。

4. 第四阶段：测试、组装与部署
最终集成： 完成模块测试后，直接进入终端产品。
应用领域： 这些 AI 5 芯片将驱动特斯拉的核心产品线，包括：
FSD (全自动驾驶) 硬件
Cybercab 自动驾驶出租车
Optimus 人形机器人
Dojo 超级计算机

Tesla AI 5 芯片性能目标（对比 AI 4）：
指标 目标性能
计算性能 提升 10倍 - 40倍
内存容量 提升 9倍
能效比 目标 < 100W/TFLOPS
制程技术 2nm 节点

这份图表勾勒出了特斯拉试图通过控制最上游的制造环节，来彻底解决算力供应瓶颈的野心。