三星官宣 2030 年量产 1nm，与台积电争夺先进制程话语权！

三星近日正式宣布，计划于 2030 年前实现 1nm 制程量产，成为全球首家公开披露 1nm 生产节点时间表的厂商，此举直指晶圆代工龙头台积电，双方围绕先进制程的话语权争夺进入白热化阶段。

三星为实现 1nm 量产目标，将采用全新的叉片（forksheet）架构技术，以此突破现有全环栅极（GAA）技术的物理极限，进一步压缩晶体管间距、提升集成密度，为延续摩尔定律奠定基础。目前，三星在 2nm 制程上已取得突破，良率已提升至 60% 以上，同时还为特斯拉定制了 2nm AI 芯片工艺，进一步夯实了高端客户基础。

作为行业龙头，台积电的先进制程布局则更为稳健。其对外公布的路线图已迈入埃米时代，下一代逻辑制程 A14（1.4nm）预计于 2028 年投入生产，较三星 1nm 量产计划领先约两年。该制程基于第二代 GAA 纳米片晶体管技术，性能与能效优势显著，可满足 AI 芯片等高端产品的需求，且目前开发进展顺利，良率表现优于预期。

此次三星主动披露 1nm 量产时间表，彰显了其追赶台积电的决心。当前，全球先进制程竞争聚焦于 1nm 节点，双方虽技术路线略有差异，但核心目标均是抢占 AI 时代算力需求的制高点。未来，随着两大巨头的技术推进，不仅将推动半导体产业突破物理极限，也将重塑全球晶圆代工市场的竞争格局。