三星电子为平泽P5晶圆厂PH1阶段下达70余台光刻机订单。

《科创板日报》4月7日报道，三星电子已正式为平泽半导体生产基地P5晶圆厂集群的首个阶段（PH1）订购70余台光刻机，为该阶段2027年顺利投运筑牢设备根基，提前布局先进存储芯片产能。

此次订购的光刻机主要来自荷兰ASML和日本佳能两大知名厂商，其中约20台为ASML的EUV（极紫外）曝光系统。作为先进半导体制造的核心技术，EUV光刻凭借13.5nm的极紫外光波长，可实现高精度图案印刷，更是1c nm等先进制程芯片量产的关键支撑，直接决定了芯片制造的精度与效率。

待平泽P5晶圆厂PH1阶段正式投运后，将重点聚焦1c nm制程DRAM（动态随机存取存储器）的生产，同时兼顾通用内存与HBM（高带宽存储器）的制造业务。其中，1c nm制程作为第六代10nm级DRAM工艺，是AI算力爆发背景下高端内存的核心供给来源；而HBM凭借3D垂直堆叠架构和超高带宽优势，可完美适配英伟达Rubin等下一代AI加速架构，与通用内存形成互补，全面覆盖各类应用场景。

按照三星电子的规划，预计将于2027年第二季度启动平泽P5 PH1阶段的图案化设备安装工作，此次订购的光刻机也将纳入其中，同时该阶段的洁净室施工也将同步推进。若进展顺利，该厂区有望在2027年内释放有效产能，既能缓解当前DRAM市场的供应紧张局面，也将进一步巩固三星电子在全球存储半导体领域的核心竞争力。