a股半导体芯片 二维半导体实现突破 为芯片技术自主可控提供关键材料

$阿石创(sz300706)$、$中微公司(sh688012)$

据报道，近日，国防科技大学和中国科学院金属研究所联合研究团队在新型高性能二维半导体晶圆级生长和可控掺杂领域取得重要突破，有望为后摩尔时代自主可控的芯片技术提供关键材料和器件支撑。研究团队建立了以液态金/钨双金属薄膜为衬底的化学气相沉积方法，实现了晶圆级、掺杂可调的单层氮化钨硅薄膜的可控生长。新的制备方法让二维材料的单晶区域尺寸达到了亚毫米级别，生长速率较已有文献报道值高出约1000倍，综合性能在同类二维材料中表现突出。

点评：二维半导体凭借其原子级厚度、高载流子迁移率、无悬挂键表面、优异机械特性及丰富材料体系等核心优势，已成为突破硅基芯片物理极限、延续摩尔定律的关键技术路径，预计到2035年全球市场规模将达300-500亿美元，率先在低功耗边缘计算、柔性电子、高性能光电器件等领域实现商业化应用。A股相关概念股有$阿石创(sz300706)$、$中微公司(sh688012)$（688012）等。