中微突破技术壁垒，已具备研发最先进设备能力。

中微半导体尹志尧在近期采访中明确表示：“我们现在已经有能力来做最先进的设备”。这番底气十足的表态，背后是中微团队在大平板设备领域实现的跨越式技术突破，更是中国半导体设备产业打破进口依赖、迈向自主自强的生动缩影。

尹志尧介绍，2023年12月，中微正式决定进军大平板设备领域。在此之前，该领域17种工艺设备均完全依赖进口，核心技术与产能被国外企业垄断，成为我国新型显示产业高质量发展的短板。这款大平板设备体量惊人，重达150吨、长宽各15米，高度相当于两层半楼房，研发难度极高。

凭借在半导体设备领域近二十年的深耕经验，尹志尧坦言，行业常规开发此类高端设备至少需要3至7年，需攻克核心技术并反复调试验证。但中微精锐研发团队打破行业惯例，以惊人效率实现从无到有的突破：仅12个月就从空白完成可运转设备研发，不到4个月迭代升级至客户下一代要求，最终18个月便将设备运至生产线并通过核准、投入使用。

作为半导体行业领军人物，尹志尧曾在硅谷深耕二十年，参与领导国际几代等离子体刻蚀机研发，2004年毅然回国创办中微公司，主攻薄膜制造与等离子体刻蚀设备，立志打破国外技术垄断。此次大平板设备的快速突破，正是中微高强度研发投入与技术积累的成果——2025年研发投入达37.44亿元，占营收超30%，远高于行业平均水平，也让产品开发周期从3至5年压缩至两年以内。

此次中微在大平板设备领域的突破，不仅填补了国内技术空白，更标志着我国高端半导体及泛半导体设备研发能力实现质的飞跃。尹志尧的表态，既是对中微团队研发实力的自信，也是中国半导体设备产业从跟跑、并跑到部分领跑的有力宣告，未来随着技术迭代，我国将在更多高端设备领域打破进口依赖，筑牢半导体产业自主可控根基。