据一些韩国媒体爆料，长鑫存储正在秘密攻关一套晶圆混合键合 DRAM 新技术，这套方案不靠阿斯麦 EUV 光刻机，分开的两片晶圆都只用 DUV 设备加工，再通过键合堆叠就能做出高端尖端 DRAM，如果这个消息属实，对国内半导体行业绝对是重大利好。

先说一个行业背景，很多人不清楚，长鑫存储从建厂开始，就拿不到任何 EUV 光刻机，美国出口管制卡得十分严格。

三星、SK 海力士做 1a、1b 这类先进制程内存，依靠 EUV 单次曝光就能做出精细线路；长鑫只能依靠 DUV 设备多次重复曝光拼接线路，业内把这种工艺叫做多重曝光。

这条工艺路线的短板很明显，曝光工序越多，生产出错概率越高，直接拉低芯片良率。长鑫存储现阶段 HBM3 产品综合良率大概只有 25%，和三星、SK 海力士对比差距巨大，就算优化人员、调整工艺，也很难突破 DUV 设备本身的精度上限。

有意思的是，即便设备处处受限，长鑫存储 2026 年一季度交出的经营数据十分亮眼：营收 508 亿元，同比大涨 719%，归母净利润 247.62 亿元，单季度利润已经快要追上 2025 年全年盈利水平。

能实现业绩暴涨，很大一部分是全球 AI 算力需求带动，服务器、民用通用 DRAM 同步涨价，这轮存储超级周期拉高了产品售价，长鑫抓住了市场窗口期。

苹果和腾讯两家企业的动作很有代表性，苹果正在推进把长鑫存储纳入自身 DRAM 供应链，先从手机低端产品线小批量试单验证；路透社也曝出腾讯和长鑫签下超两百亿的多年服务器内存采购长单。

这两件事足以说明，海内外下游大厂已经真正把长鑫当成和三星、SK 海力士、美光并列的第四家稳定供应商，不再只是备选试验对象。

回到韩媒爆料的核心技术，如果长鑫这套键合 DRAM 方案落地，只用现有 DUV 设备就能量产高端 DRAM，意味着当下 DUV 工艺带来的良率天花板有机会被打破，HBM 这类高附加值 AI 内存也能稳步扩产，不用再被 EUV 光刻机进口审批卡住脖子。

同时生产成本会得到实打实优化，单台 EUV 光刻机造价高达数亿美元，省去这笔大额设备投入，单片晶圆的长期制造成本会持续下降。

客观来讲，这条技术消息目前仅来自韩国媒体报道，长鑫存储官方还没有对外确认完整工艺细节；行业内也形成共识，单纯 DUV 多重曝光存在天然物理极限，这套键合新工艺能不能稳定量产、做出对标 EUV 工艺水准的高端芯片，最终还是要靠后续批量生产数据验证。

韩国行业媒体一直紧盯长鑫存储的技术进展，背后原因很直白：过去中国大陆加香港市场，曾经吃下韩国 DRAM 出口总量一半以上份额，如今这块需求持续转向国产内存。

长鑫每往前一步实现技术突破，韩系存储厂商的市场压力就会增加一分，这也是相关行业消息一出来，韩媒总会第一时间集中报道的核心原因。

拉长周期来看，这件事最值得关注的不只是单条新技术能否落地，而是国内存储产业近几年从被设备全面卡脖子，到多个环节逐步追赶、局部突破的完整发展节奏。

长鑫存储相关专利从最初不足 500 件，增长到行业普遍统计的 5500 多件，企业官方完整专利总量接近 7000 件，整体产能规模也冲到全球第四，年底有望冲击全球第三；每一次设备替代工艺的突破，都是国产存储追赶海外巨头实实在在的一步。