随着NAND闪存市场复苏，存储器制造商纷纷重启此前暂时搁置的产能扩张计划。继宣布在韩国投资约500亿美元建设新NAND闪存制造工厂后，SK海力士也在推进其在中国的业务扩张。据韩国新闻网站“News Tomato”报道，该公司计划于2026年下半年重启此前长期延期的大连Fab 2扩建项目。报道称，SK海力士计划于该年下半年开始在大连Fab 2安装生产设备，并于2027年上半年分阶段完成建设。据称，韩国国内合作伙伴已开始将闲置的NAND设备转移至大连，而海外供应商也已收到设备交付的临时采购订单。

与此同时，三星电子也在加大对华NAND业务的投资，加速推进其西安工厂向更新一代V-NAND技术的转型。据报道，继3月下旬启动第八代（V8）V-NAND的量产后，该公司已着手建设相应的生产基础设施。这种扩张态势也体现在三星在华资本支出的增加上。据《Sisa Journal》报道，这家存储器巨头预计2025年对西安NAND工厂的投资将达到约3.04亿美元，同比增长约67.5%。此外，有报道称，SK海力士计划在2025年将其大连NAND制造子公司的投资额增至4406亿韩元，较上一年增长52%。