比光芯片还稀缺的光模块上游硬核材料
比光芯片更稀缺的并非单一材料，而是‌磷化铟（InP）衬底‌（缺口超 70%）、‌硅透镜‌（结构性缺口 30%+且产能极度集中）及‌高纯铟‌（底层资源命门），三者共同构成当前 1.6T/3.2T 光模块量产的“致命硬瓶颈”。‌‌

核心稀缺材料梯队与瓶颈逻辑
‌磷化铟（InP）衬底‌：2026 年全球需求约 260 万 -300 万片，有效产能仅约 75 万片，‌缺口超 70%‌；是 EML/DFB 光芯片唯一基底，扩产周期长达 2-3 年，被日本住友、AXT 等垄断 90% 以上份额 。
‌硅透镜‌：1.6T 模块用量翻倍且 CPO 技术需求指数级增长，全球‌缺口超 30%‌，交期拉长至 6 个月以上；国内能半导体级量产者屈指可数，门槛高于部分光芯片封装环节 。
‌高纯铟‌：磷化铟的底层原料，伴生金属储量极有限，高端纯度提炼受地缘与产能双重制约，是制约 InP 衬底释放的‌终极资源卡点‌ 。
‌薄膜铌酸锂（TFLN）晶圆‌：3.2T 及以上调制器必选材料，国内自给率不足 10%，高端晶圆被日企垄断，扩产极慢 。‌‌
稀缺性成因与产业影响
‌供需错配极致化‌：AI 算力驱动 800G/1.6T 爆发，但上游单晶生长（InP）与精密光学加工（硅透镜）产能弹性极低，导致“有订单无物料”局面持续至 2027 年 。
‌技术壁垒高于组装‌：硅透镜需半导体级晶圆工艺适配 CPO，InP 衬底需解决磷高蒸气压与大尺寸单晶缺陷控制，国内具备量产良率的企业极少 。
‌替代路径短期失效‌：硅光方案虽在渗透，但长距传输仍依赖 InP 基 EML 芯片，且硅光本身也急需硅透镜耦合，无法缓解透镜短缺 。‌‌
关键国产突破方向
‌磷化铟衬底‌：云南锗业（6 英寸量产）、三安光电（IDM 全产业链）、有研新材（技术突破）。
‌硅透镜/光学元件‌：福晶科技（精密光学龙头）、天孚通信（光引擎集成锁定产能）。
‌薄膜铌酸锂‌：天通股份（8 英寸晶圆量产）、光库科技（调制器器件）。‌‌
当前市场焦点正从“光芯片成品”前移至这些‌更上游的基材与精密元件‌，谁掌握高纯铟资源、InP 大尺寸衬底或硅透镜晶圆级制造能力，谁即掌握 1.6T 时代交付主动权。