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长鑫科技完整资料:简介、历史沿革、历年财务、人员结构 一、公司简介 长鑫

长鑫科技完整资料:简介、历史沿革、历年财务、人员结构

一、公司简介

长鑫科技集团股份有限公司(简称长鑫科技,证券代码688825)2016年6月13日在安徽合肥注册成立,前身为睿力集成,是国内唯一实现DRAM全流程IDM(设计+制造+封测)一体化企业,核心打破三星、SK海力士、美光全球DRAM垄断格局。
主营DDR5、LPDDR、服务器存储颗粒、存储模组,产品覆盖PC、智能手机、AI服务器、车载存储;在合肥布局三座12英寸晶圆厂,采用跳代研发路线,跳过46nm直接攻关19nm成熟DRAM工艺,是国内存储芯片国产化核心战略载体,无实际控制人,地方国资、产业资本、创始团队共同持股。

二、完整历史沿革(按年份梳理)

1. 2016年
6月13日公司主体睿力集成注册成立,合肥地方国资联合朱一明团队启动“506存储专项工程”;收购德国奇梦达全套DRAM专利与核心技术人才,奠定研发基础。
2. 2017年
3月合肥12英寸DRAM一期厂房开工建设;11月子公司长鑫存储技术有限公司设立,作为晶圆制造运营主体。
3. 2018年
厂房完工、设备进场调试;7月首次投片试产DDR4;朱一明全职担任董事长,立下量产盈利前不领取薪酬承诺。
4. 2019年
9月自研8Gb DDR4芯片正式量产,实现中国大陆自主DRAM芯片从0到1突破,结束国内无本土DRAM产能的局面。
5. 2020年
完成多轮产业资本增资,小米产业基金、招商资本入股;全资控股长鑫存储,统一产销研体系。
6. 2021年
大规模员工持股计划落地;兆易创新增资5亿元,上下游产业协同深化。
7. 2022年
阿里巴巴、东方资管、保险资金等19家机构增资,注册资本增至485.8亿元;持续扩产二期晶圆产线。
8. 2023年
企业正式更名为长鑫科技集团股份有限公司;持续加大高端存储、HBM预研投入,全年研发费用45.2亿元。
9. 2024年
完成108亿元战略融资,产能持续爬坡;获评国家级独角兽企业,DRAM市占率稳步提升。
10. 2025年
全年首次实现年度盈利;员工规模突破1.9万人;完成多代DDR5工艺迭代,批量供货国内头部云厂商。
11. 2026年
5月科创板过会;7月启动A股申购,发行价8.66元,成为科创板史上最大规模IPO;AI算力需求带动业绩爆发,上半年净利润预500-570亿元。

三、历年营收、归母净利润(亏损)数据(招股书官方口径)

年份 全年营业收入 归母净利润(正数盈利/负数亏损)
2022 82.87亿元 -83.28亿元(亏损)
2023 90.87亿元 -163.40亿元(亏损)
2024 241.78亿元 -71.45亿元(亏损)
2025 617.99亿元 +18.75亿元(首次年度盈利)
2026Q1 508.00亿元 +247.62亿元
2026上半年预告 1100-1200亿元 500-570亿元

补充说明:

1. 2022-2024持续大额亏损核心原因:重资产厂房、设备巨额折旧、持续高强度研发投入、产线爬坡产能利用率不足;
2. 2025年扭亏:全球存储周期上行、海外大厂削减通用DDR产能、公司产能释放、产品单价大幅上涨;
3. 2026年业绩爆发:AI服务器拉动DRAM需求,订单饱满,毛利率大幅提升。

四、人员规模、管理团队、研发人员数据(截至2025年末,招股书披露)

1. 公司总员工总数:19298人
2. 研发人员:6259人,占全体员工32.43%;硕士及以上学历7586人,占全员39.31%;拥有境内外合计近7000项存储相关专利。
3. 管理团队(董监高完整人数)

- 董事会:11人(董事长、4名内部董事、4名独立董事、2名国资代表董事)
- 高级管理层(高管):8人,包含总经理、财务负责人、董秘、多位分管研发/生产/市场副总裁
- 核心技术高管5人,为工艺、存储架构核心带头人;整体董监高合计19人。

4. 人员扩张背景:2023年末仅9600人,2024-2025两年产能翻倍,生产、研发团队同步扩招,研发人员规模持续扩张。

风险提示

本文数据均来自公司公开招股书、路演公开信息,仅作行业信息科普,不构成任何投资建议。存储行业强周期波动,公司业绩随全球供需、原材料价格大幅变化,股市存在不确定性,投资需谨慎。