中国主驱系统从400V切到800V,SiC之所以能快速普及,是电压平台抬升带来的耐压与损耗约束、SiC材料特性的精准匹配、成本曲线掉头以及本土供应链成熟四股力量共同作用的结果。
特斯拉当年抛出的SiC加IGBT混合路线,在器件昂贵的窗口期有其现实合理性,但随着SiC降价速度超出预期、全SiC 800V成为行业共识,这套方案退居边缘也就不难理解。
:《从400V到800V:中国主驱系统快速拥抱碳化硅》 从400V到800V:中国主驱系统快速拥抱碳化硅
中国主驱系统从400V切到800V,SiC之所以能快速普及,是电压平台抬升带来的耐压与损耗约束、SiC材料特性的精准匹配、成本曲线掉头以及本土供应链成熟四股力量共同作用的结果。
特斯拉当年抛出的SiC加IGBT混合路线,在器件昂贵的窗口期有其现实合理性,但随着SiC降价速度超出预期、全SiC 800V成为行业共识,这套方案退居边缘也就不难理解。
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