长鑫科技暴涨 472% 登顶 A 股，全球 DRAM 格局生变
中国 DRAM 龙头长鑫科技登陆科创板的消息，彻底搅动了半导体市场，也让全球记忆体产业迎来新变量。
长鑫科技以 8.66 元每股发行价登陆科创板，开盘直接冲上 49.5 元，开盘涨幅超 472%，市值最高触及 3.3 万亿人民币，折合新台币约 17.4 万亿，一度超越工商银行，成为 A 股市值第一的企业。
目前长鑫已是全球第四大 DRAM 厂，仅次于三星、SK 海力士和美光，2025 年全球市占率约 7.7%。此次募资 86 亿美元（约 2800 亿新台币），是今年亚洲最大 IPO，也是中国半导体史上最大规模上市案，国有资本持股达 36.29%，募资将用于扩产晶圆、升级制程技术，以及 DDR5、HBM 高阶记忆体研发。需要注意的是，挂牌后流通股仅占 6.73%，股价波动风险会被放大。
一、冲击台厂供应链？短期长期各有变数
长鑫崛起是否会冲击台湾地区厂商供应链？分领域来看：
制造端：南亚科主打通用型 DRAM，与长鑫产品重叠度高，将直面中国产能扩张与价格竞争；华邦电以利基型 DRAM 为主，短期无明显压力，但如果长鑫拓展利基型产品，台厂长期追赶压力不小。加上中国推动半导体本土化，本土客户优先选用国产供应商，台厂中长期都将面临挑战。
封装测试：力成、华东等记忆体封测厂有望受全球扩产带动，封测需求增加，但中国扶持本土封测供应链，台厂能否抢到订单仍是未知数。
模组与通路：威刚、创见等模组厂商供货来源增加，可降低缺料风险、提升议价空间，这部分相对正面。但中长期来看，中国本土替代加速，台厂高价库存可能面临跌价压力。
二、全球格局生变，多方迎挑战
当前全球 DRAM 市场仍由韩美三强掌控，但长鑫已跻身第四。目前长鑫在上海、合肥推进新厂扩产，月产能目标 60 万片，计划 2030 年前后追平甚至超越美光。随着 DDR4、DDR5 供给增加，中长期可能拉低全球 DRAM 报价，压缩行业毛利。不过HBM 高频宽记忆体技术仍落后国际两世代，短期难撼动韩美大厂在高阶 AI 记忆体市场的优势。
长鑫崛起背后，是全球半导体供应链加速分裂。中国试图建立自主半导体产业以降低海外依赖，但当前仍无法获取 ASML 最先进 EUV 设备，同时受限于美国出口管制，只能加大投入自建设备、材料、制造与封测体系。未来全球供应链或分裂为中国与非中国两套系统。
短期来看，AI 记忆体供不应求，韩美大厂高阶优势仍在。但中长期来看，中国大举扩产、价格竞争加剧，加上美中管制升级，全球 DRAM 产业市占率、报价与供应链格局都可能迎来洗牌。
此外，美国芯片巨头辉达近期祭出严格白名单审查，亚洲获准客户数量砍半，配合美国出口管制政策，防止 AI 芯片经第三方转运中国。同时美联储 6 月 CPI 意外降温，市场升息压力暂缓，但联储会主席鲍威尔重申对高通膨零容忍，加上美伊冲突升级油价波动，货币政策仍存高度不确定性。
环宇新闻黄恩雅综合报道。
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