大摩这篇旧存储短期推导框架值得学
这篇大摩更值得学的，是把存储拆成主流和利基两条价格线。
真正决定交易质量的，是涨价来自平均复苏，还是局部缺口。

📌 为什么这篇值得看？｜分化框架
• 大摩先承认主流内存预期降温：3Q26传统DRAM新预测涨13-18%、NAND涨10-15%，4Q继续降到低个位数区间。
• 这解释了旧存储股去估值、云厂商自由现金流担忧和中国存储持仓减仓；但大摩没有把它等同于利基周期结束。

🧠 怎么看这篇｜供给约束
• 推导核心是供给弹性。DDR4供给退出后，CSP为保障供应愿意提价，并可能签1-2年量约，买方担心拿不到货。
• 价格传导变成：供给缺口延续，买方锁量，旧规格涨价，供应商盈利和估值底线被重新确认。

🏗️ 核心看点｜利润落点
• 大摩最强短期证据，是3Q DDR4季度涨幅至少30%，SLC/MLC NAND涨50-60%，NOR flash涨30-40%。
• 利润落点更偏旧制程和利基产品。兆易创新已提示未来或大幅降价，大摩把它放到长期风险里，提醒交易要看时间窗口。
• 估值上，大中华IDM历史1.0倍2028E BVPS附近支撑较强；旺宏、南亚科、华邦电当前约1.5/1.2/1.2倍，下行空间要和价格动能一起看。

🧭 投资人怎么用｜边界条件
• 这篇适合做分层：主流DRAM/NAND看预期差收敛，旧存储看供给缺口和涨价强度，个股看谁能把价格变成毛利率。
• 观点成立需要DDR4月度报价、利基NAND和NOR报价继续上修；若CSP不再锁量、库存回补完成或厂商扩产，估值支撑会变弱。

🌐 View｜我的拆解
我的拆解是，大摩给的是时间窗口管理：短期利基涨价仍有弹性，长期价格风险开始浮现。好交易要知道涨价何时开始失效。

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免责声明：本文仅为研报解读，不构成投资建议，投资有风险，入市需谨慎。