SK海力士重启大连半导体2号工厂扩产NAN闪存 《首尔经济日报》8月11日报道，SK海力士重启了中国大连NAND闪存生产基地2号工厂的建设，将产能扩大约50%。大连2号工厂于4年前动工，但受存储行业低迷影响，工程长期停滞。SK海力士计划在今年年底前引入半导体生产设备，并于明年上半年正式投产NAND闪存。据悉，新生产线的晶圆投片量约为每月5万片。加上大连1号工厂现有的每月10万片产能，大连当地总产能将增加约50%。

报道称，随着全球人工智能（AI）的快速发展，对大型数据中心的需求持续增加，企业级固态硬盘（eSSD）需求激增，带动NAND闪存价格在一年内 ⏫近10倍。

✅大连1号（Fab68）=英特尔老NAND工厂，2021年底第一阶段完成接管，2025年全部交割完毕。
✅产品：3D‑NAND浮栅架构，192层QLC，企业级存储颗粒，服务AI服务器eSSD。
❌不做DRAM/HBM；300层以上高端NAND全部韩国本土。
✅大连2号为新建扩建，还未投产，计划2027上半年量产。