美媒称中国长鑫存储在先进存储芯片领域取得突破

路透社等美媒近期报道称，中国最大动态随机存取存储器（DRAM）制造商长鑫存储（CXMT）在先进存储芯片领域取得突破，已开始小批量生产HBM3E（高带宽内存3E）。这是当前AI加速器（GPU等）核心使用的先进高带宽内存。这标志着长鑫存储在高端AI存储领域迈出关键一步。

据悉，阿里巴巴旗下平头哥（T-Head）、寒武纪等国内AI芯片设计公司正在测试这些内存，与自家处理器搭配。若测试进展顺利，这些中国产AI芯片最早将于2027年采用该款中国产存储器，为中国产AI算力基础设施构建自主供应链。