绕开EUV限制，北方华创新工艺取得突破，国产3D‑DRAM迎来新出路
来源：市场资讯、快科技
快科技9月5日消息，国内半导体设备龙头北方华创在IEEE期刊刊发论文，公布一项关键工艺成果：全新两步循环刻蚀技术，有望助力长鑫存储绕开EUV光刻机封锁，推动3D‑DRAM实现自主量产。
3D‑DRAM，被公认为DRAM存储芯片下一代核心演进方向。传统DRAM在二维平面不断缩小晶体管尺寸，工艺逼近物理极限；而3D‑DRAM思路是把晶体管做垂直堆叠，依靠多层堆叠提升存储单元密度，以此突破平面微缩的瓶颈。
当前西方持续收紧EUV光刻机出口管制，国内先进存储芯片发展遭遇不小阻碍，而这套新工艺，为国内存储产业提供一条规避光刻壁垒的可行技术路线。
该工艺面向硅、硅锗交替堆叠的64层3D‑DRAM架构。生产过程需要精准剥离硅锗层，再在留存硅层的间隙内部搭建字线、位线、栅极等微细元器件。
行业长期面临一大痛点：高深宽比结构当中的横向选择性刻蚀极难把控，很容易造成硅骨架损伤，或是各层刻蚀程度参差不齐，良率难以保障。
北方华创提出的两步循环刻蚀方案，把整个加工流程拆解为“刻蚀”、“清理”两大环节循环作业。第一步采用无偏置电中性氟自由基，定点完成硅锗层刻蚀；第二步通入反应气体清除底部反应副产物，保障刻蚀气体可以垂直抵达结构深处。
论文公开实验数据显示，这套工艺硅锗与硅的刻蚀选择比突破500:1；200纳米夹层结构内，硅层单次损耗被控制在10埃，也就是1纳米以内；在64组交替堆叠结构中，整体结构均匀度超过95%。
行业分析指出，如果长鑫存储能够完成设备与工艺的适配落地，国产3D‑DRAM自主量产的可行性将大幅提高。不依赖EUV光刻机的条件下，国内存储企业依旧有机会持续迭代芯片密度与综合性能。
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EUV光刻机卡脖子的局面下，国产存储传来好消息。
北方华创发布全新两步循环刻蚀工艺，有望绕开EUV限制，助力长鑫存储攻坚3D‑DRAM。
3D‑DRAM靠垂直堆叠晶体管提升芯片容量，是内存芯片未来的主流方向。过去高深宽比刻蚀，一直是很难跨过去的行业难关。
这套新工艺把加工分成刻蚀、除渣两步循环，实现超高刻蚀选择比，64层堆叠结构均匀度达到95%以上。
业界判断，如果工艺顺利落地，国内存储不用EUV，也有机会向更高密度的3D内存迈进。