中国半导体设备龙头北方华创近日在IEEE期刊发表学术论文，宣布在3DD RAM制造工艺上取得重大技术突破。该公司开发出一种创新的两步循环刻蚀工艺，有望帮助长鑫存储绕过EUV光刻机封锁，推进3D DRAM自主量产。华为 北方华创 ​​​​