SK海力士大幅提升领先工艺DRAM份额…1c工艺将于明年年初成为主力

SK海力士正快速扩大其第六代10nm级（1c）DRAM的生产份额。随着1c DRAM即将作为核心芯片堆叠到下一代高带宽存储器（HBM4E）中，该公司似乎正在加速其工艺转换。随着服务器和人工智能（AI）高附加值存储需求增长，与三星电子和美光迁移到更精细工艺节点的竞争也日益激烈。

“1c工艺份额预计年内超过34%”

据7日业界消息人士透露，SK海力士的1c DRAM份额从今年第一季度的约10%上升到第二季度的13%区间。预计第三季度将达到24%区间，第四季度达到34%区间。明年第一季度，1c份额预计将攀升至35%区间，首次超过1b（33%区间），成为公司主力工艺。

1b（第五代10nm级）DRAM份额被发现已在今年第二季度达到峰值43%区间，并开始下降。随着向1c的生产转换全面展开，老一代工艺的份额正依次萎缩。业界估算显示，截至第二季度末，三星电子的1c份额为16%区间，美光的为19%区间，略高于SK海力士（13%区间）。然而，随着SK海力士在下半年加快转换步伐，预计第四季度（34%区间）将超过三星电子（31%区间）。

在上个月的第二季度财报电话会议上，SK海力士表示，基于第六代10nm级（1c）工艺的DRAM供应已于第二季度正式启动。公司预计，今年下半年位增长率（生产量增长率）将超过上半年，主要得益于HBM4（第六代HBM）产量扩大以及基于1c的商品DRAM出货量上升。

为提升HBM4E性能而进行的工艺转换

三星电子与SK海力士在HBM4领导地位上的争夺，也与1c转换步伐交织在一起。三星电子从HBM4阶段起应用1c DRAM，并宣称其运行速度约11.7Gbps，处于顶级性能水平。相比之下，SK海力士选择了优先确保量产稳定性的策略，依赖其成熟的1b DRAM和先进的MR-MUF封装技术，并从下一代HBM4E（第七代HBM）起首次将1c DRAM作为核心HBM芯片。

业界观察人士表示，这种策略差异正反映在两家公司的市场份额上。包括Counterpoint Research在内的主要研究机构预计，今年HBM4市场份额（基于NVIDIA、Google、AMD等公司的综合数据）为SK海力士中50%区间、三星电子高20%区间、美光高10%区间。SK海力士凭借量产稳定性保持产量优势，而三星电子则通过技术规格优势寻求扩大份额。

在此背景下，分析师表示，SK海力士加速1c转换的努力将转化为成本和生产力方面的实际益处，而非仅限于节点缩小。由于每片晶圆的位输出量较上一代增加，从相同晶圆投入中产生更多位，从而提升成本竞争力，这被视为从下半年起有助于捍卫DRAM部门盈利能力的一个因素。随着1c转换与服务器和高附加值产品及HBM组合比例的增长同步进行，分析师认为生产力提升极有可能直接转化为利润率改善。

半导体业界一位人士表示：“1c转换步伐本身令人鼓舞，但只有实际生产良率和客户认证进度跟上时才具有意义”，并补充道：“从HBM4E开始，三星电子与SK海力士的精细工艺竞争将进一步加剧。”