英特尔在先进芯片制造领域再获关键突破，其晶圆代工部门宣布，采用高数值孔径极紫外光刻（High-NA EUV）技术处理的晶圆累计量已突破100万片大关。

这一数字涵盖了设备认证、测试研发及部分产品层的量产环节，标志着该项下一代光刻技术正从实验室验证稳步迈向实际生产线。

据英特尔披露，其高数值孔径EUV晶圆处理总量已超过全球其他采用该技术的芯片制造商之和，进一步巩固了其在新型光刻赛道上的先发优势。

高数值孔径EUV是传统EUV光刻的进阶版本，其物镜数值孔径从0.33提升至0.55，可在晶圆上实现更精细的图形刻画，并有望简化部分复杂的多重曝光工艺。

对于先进制程而言，这意味着更高的晶体管密度、更低的制造复杂度，以及芯片性能与能效的潜在提升。不过，这类设备的成本与工艺控制要求也显著更高。

目前，英特尔已在俄勒冈州部署至少三台高数值孔径EUV光刻机，并将其用于部分Intel 18A制程的生产。