报道称，长鑫科技HBM内存芯片良率跌至25%，近80%芯片最终测试不合格，导致业绩遭受重创
据韩国媒体报道，存储器公司长鑫科技的HBM内存芯片生产正面临良率问题。由于组装工艺复杂，HBM内存芯片的制造难度远高于传统的DRAM模块。长鑫科技之所以能在全球存储器市场崛起，是因为该公司能够供应DRAM模块，而其他主要传统存储器制造商则专注于HBM的生产。
报告称，长鑫科技在硅通孔（TSV）和HBM堆叠技术方面举步维艰，良率徘徊在25%。
HBM 内存芯片由 DRAM 模块构成，而将这些模块堆叠起来是该工艺的关键环节。多达 16 层模块堆叠在一起，然后通过称为硅通孔 (TSV) 的细导线连接，最后连接到基片，从而与计算机系统通信。
对于下一代HBM芯片，即HBM4模块，SK海力士等制造商对采用混合键合技术很感兴趣。传统的HBM键合技术依赖于每层DRAM下方的凸点，而混合键合技术则试图用底部填充材料取代这些凸点。
去除凸起会增加复杂性，需要洁净室环境和极高的表面光滑度，以确保没有杂质会影响 HBM 堆叠的性能。
SK海力士混合键合
为了确保HBM堆叠中的各层能够与计算平台通信，制造商会在晶圆上钻出细小的孔，并放置垂直的导线。这些导线被称为TSV（硅通孔），而根据今天的报道，长鑫科技在TSV的实现方面遇到了困难。这家中国公司的8层HBM3内存芯片的良率仅为25%至30%，最终产品中只有70%能够通过额外的测试和评估，最终获准用于终端产品。
据Chosen援引业内人士的话称，该公司在扩展DRAM生产工艺以生产HBM芯片方面遇到了困难。报道称，一颗标准的长鑫科技 HBM芯片有3000个TVS切口，并且该公司在DRAM层的堆叠和键合方面也遇到了难题。这些困难导致每批100颗HBM3芯片中，近80颗未能通过质量检验。
由于人工智能数据中心建设的持续推进，HBM 内存芯片的需求量巨大，成为全球内存行业的关键瓶颈。在 SK 海力士、美光和三星主导的行业格局下，长鑫科技 通过向中国国内企业供应大型公司已转移资源的 DRAM 芯片，从而占据了一席之地。#人工智能 #商业 #科技 #芯片 #科技前沿与未来 #半导体