之前总听人说存储芯片的物理极限卡得死，我们追国外工艺追得累死，没想到这次直接摸到存储密度的天花板了。

复旦大学周鹏、刘春森团队刚在《科学》发的成果，直接把“一电子、一比特”这个学界之前只敢想的理论极限给落地了。

之前主流DRAM存1比特要耗20万个电子，上世纪末科学家测单电子存储，那点电压波动不到5秒就没影，现在他们靠二维半导体的原子级优势做的“归壹”结构，27℃室温下就能稳定抓单电子，还做出了全球最大的非易失量子存储窗口。

之前他们搞的400皮秒超快“破晓”器件、“长缨”混合架构闪存已经进了2025年中国科学十大进展，现在下半年还要开初创公司，直接用现有半导体产线改就能做芯片验证，这波根本不是跟跑，是直接换道把路给走通了。