546亿美元！HBM市场一年暴涨58%，占DRAM近四成，缺口50%以上——英伟达黄仁勋：这不是短期波动，是持续数年的结构性困局

兄弟们，今天说一个正在悄悄吃掉整个存储行业的巨兽——HBM。

SEMI中国总裁冯莉在SEMICON China 2026上给出了一组炸裂的数据：2026年全球HBM市场规模预计增长58%至546亿美元，占DRAM市场近四成。什么概念？以前HBM只是DRAM里的一个小众品类，现在它一家就要吃掉整个DRAM市场将近四成的蛋糕。

缺口50%到60%：三大原厂把70%产能砸进去，还是不够

最扎心的是供需。尽管三星、SK海力士、美光三大原厂已经把70%的新增/可调配产能倾斜至HBM，产能缺口依然高达50%到60%。翻译一下：三家巨头把能调的资源都调过去了，缺口还是超过一半。

英伟达CEO黄仁勋直接公开表态：全球HBM供应短缺“根本不是短期市场波动，而会是一个持续数年的结构性行业困局”。三大原厂2026年的全部HBM产能早已被下游客户全年售罄，部分核心客户甚至已经把产能锁定至2028年。

三大原厂赚疯了：SK海力士Q2营业利润同比飙557%

HBM的紧缺，让三大原厂的财报一个比一个炸裂。

SK海力士二季度营业利润60.54万亿韩元，同比飙升557%；上半年累计营收131.9万亿韩元，历史上首次突破100万亿韩元大关。营业利润率干到76%——卖一块钱的东西，七毛六是利润。

三星二季度营业利润89.5万亿韩元创历史新高，其中半导体存储业务营收120.8万亿韩元，同比暴增471%。HBM收入份额从一季度的21%快速攀升至二季度的33%，正在逼近SK海力士的50%。

美光最新财季营收414.6亿美元，同比增长346%，HBM4累计收入已突破10亿美元，12层堆叠HBM4的量产爬坡速度是上一代的两倍。

国产替代：长鑫在追，但差距是实打实的

国产HBM的进度条拉到哪儿了？长鑫存储已经启动HBM3模组量产工作，计划将每月约6万片晶圆用于HBM3生产，约占其总月产能30万片的20%。韩媒报道称，华为正在与长鑫共同开发HBM，即便外界认为当前良率偏低，相关产品仍有望进入量产阶段。

但必须说清楚差距。海外龙头已经陆续实现HBM4量产，国内长鑫存储预计2027年才实现HBM3e量产。一代半到两代的代际差距，不是靠砸钱就能马上追上的。

HBM的核心壁垒在于TSV硅通孔、混合键合、高层数堆叠这些工艺，需要长期良率爬坡和客户认证。三星、SK海力士在HBM上烧了将近十年，才把良率从个位数做到今天这个水平。长鑫从DDR5切入HBM3，路径是对的，但时间窗口不等人。

一句话总结

HBM这546亿美元的市场，本质上是AI算力从“训练”走向“推理”之后，存储需求结构性抬升的集中体现。推理越多，HBM消耗越大。三大原厂70%产能倾斜过去，缺口还有50%以上，英伟达直接把产能锁到2028年。国产在追，但代际差距摆在那儿。

兄弟们，你们怎么看HBM的国产替代节奏？长鑫能不能在2027年把HBM3e跑通？评论区聊聊。