Intel重回内存市场，全新ZAM内存替代HBM
阔别40多年后，Intel有望重返内存市场，旗下既有自主研发的XBM内存，也有与软银合作开发、进度更快的ZAM内存。
ZAM即Z角内存，采用特殊Z角互连架构垂直堆栈多颗DRAM存储芯片，针对HBM内存平放堆叠不利于散热的问题优化，相比HBM功耗降低40%-50%，单芯片最高容量可达512GB，还可简化制造工艺流程，为后续规模化量产奠定基础。科技资讯早知道 Intel
Intel重回内存市场，全新ZAM内存替代HBM
阔别40多年后，Intel有望重返内存市场，旗下既有自主研发的XBM内存，也有与软银合作开发、进度更快的ZAM内存。
ZAM即Z角内存，采用特殊Z角互连架构垂直堆栈多颗DRAM存储芯片，针对HBM内存平放堆叠不利于散热的问题优化，相比HBM功耗降低40%-50%，单芯片最高容量可达512GB，还可简化制造工艺流程，为后续规模化量产奠定基础。科技资讯早知道 Intel