长鑫科技再投349亿元DRAM项目305亿设备投入成最大看点

长鑫科技上市两个多月后，又启动一轮DRAM项目投入。9月29日公告显示，公司计划建设两个项目，总投资349亿元。其中，技术研发项目投资241亿元，存储器晶圆后道测试基地二期投资108亿元。
这349亿元里，设备支出占了很大部分。241亿元研发项目中，设备购置费达到223.98亿元，占92.94%。108亿元后道测试项目中，设备购置及安装费达到81.80亿元，占75.74%。两项设备相关投入合计约305.78亿元，资金主要进入研发、生产和测试设备环节。
研发项目建设期为30个月，后道测试二期建设期为37个月。公司公告提到，新增测试能力需要跟上DRAM产能增长，同时补强前道制造之后的测试环节。
产品端也在继续推进。长鑫科技目前已经覆盖DDR5、LPDDR5/5X、LPDDR6等产品。第五代工艺技术平台正在进行客户认证，LPDDR6已经送到客户进行验证。
349亿元是项目规模，305亿元设备投入更值得持续跟踪。后面可以重点看设备招标时间、采购项目、国产设备进入情况。这些信息出现后，才能进一步判断这轮投资会给哪些半导体设备公司带来实际订单。