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Micron:未来2年内存供应可能比今年更紧张

Micron CEO Sanjay Mehrotra 在公司 2026 财年第四季度电话会上表示,内存和存储市场的供应紧张还没有到头。按照 Micron 目前的判断,2027 和 2028 年的供需情况可能比 2026 年更紧张,而且公司暂时看不到市场重新恢复供需平衡的明确时间点。

背后的主要推力仍然是 AI。数据中心需要越来越大的模型、更长的上下文和更高的并发量,这些都在增加 DRAM、NAND 和 HBM 的用量。Micron 预计,到 2028 年,HBM 的 bit 出货增长仍会快于普通 DRAM。AI 服务器之外,传统服务器更新、自动驾驶和机器人等应用也在继续增加内存需求。

供给端却没有办法同步快速扩张。新的晶圆厂和洁净室建设周期很长,即使厂房建成,从第一片晶圆下线到真正形成规模产能仍需要时间。与此同时,HBM 从 HBM3E 升级到 HBM4、HBM4E 后,会占用更多 DRAM 制造资源,而先进制程换代能够带来的每片晶圆容量提升也在减小。Micron 因此计划进一步增加 2027 财年的资本开支,其中很大一部分将投入新洁净室,但新增空间主要要到 2028 年末及以后才能逐渐发挥作用。

具体来看,Micron 预计 2027 和 2028 年全球 DRAM bit 出货量每年大约增长 20% 出头,NAND 则增长约 25%,但两个市场仍将处于供不应求状态。Mehrotra 还透露,Micron 2027 年超过 75% 的产出已经被客户锁定,目前大量客户谈判已经开始讨论 2028 年,部分长期协议甚至延伸到 2031 年。

这样的市场环境也已经反映在 Micron 的业绩里。公司 2026 财年第四季度收入达到 542.3 亿美元,创历史新高,非 GAAP 毛利率达到 87%;全年收入为 1331.9 亿美元。

Micron 的预测仍然属于厂商对未来需求和产能的判断,AI 投资节奏、客户配置变化以及三星、SK hynix 等厂商扩产都可能改变结果。不过从目前的订单和建厂周期看,内存行业短期内并没有出现明显宽松的迹象,新产能也很难在一两年内迅速填补需求增长。

#美光 #半导体 #内存