格芯8年后重返7nm级工艺：FDX Fusion 2028年量产

10 月 12 日消息，格芯（GlobalFoundries）宣布推出新一代 7nm 级制造工艺 FDX Fusion，计划 2028 年在德国德累斯顿工厂量产。八年前它放弃最先进节点时，也取消了与 IBM 共同开发的 7nm 级 FinFET 工艺；这次回归改用平面晶体管和全耗尽硅上绝缘体（FD-SOI）技术，目标市场是汽车、边缘 AI、工业、机器人和传感器。

工艺给出的口径是“7nm 级数字性能”，晶体管密度号称是 2015 年前后那代 22FDX 的两倍以上，但格芯没有公布晶体管尺寸、最小金属间距和实际密度。工艺还支持 fT/fmax 最高 0.5 THz 的射频晶体管、模拟与混合信号电路、嵌入式非易失存储和存内计算。CEA-Leti 首席执行官塞巴斯蒂安·多韦表示，这是该机构推进了数十年的“个位数 FD-SOI”节点。
相比数字性能，格芯真正想卖的是“融合”：把相对强劲的数字逻辑、射频、模拟混合信号电路、嵌入式非易失存储和存内计算放进同一颗芯片，让它自己采集传感器数据、执行 AI 推理、控制外部设备并完成无线通信，不必再外挂多颗工艺各异的独立 IC。
时间表已经排到 2027 年：可供客户评估的样片计划明年初交付，首个工艺设计套件（PDK）在年中发布。格芯称已与数家客户展开合作，新闻稿中点名宝马、博世、英飞凌、NXP、西门子和特斯拉表达兴趣，其中只有英飞凌明确确认参与了雷达和无线通信的 7nm 级技术合作。
这条路线对格芯并不新鲜。公司 2015 年推出 22FDX，2016 年就宣布后继工艺 12FDX，宣称性能比肩 10nm FinFET、功耗最多降低 50%，客户试产原定 2019 年启动。但 12FDX 从未进入商业产品，格芯随后转而强化 22FDX 并推出 22FDX+。量产定在 2028 年，对照当年预定的首次试产时间，中间隔了约九年。
悬而未决的问题同样清楚。格芯所说的 2 倍“数字性能”没有说明指晶体管开关速度、标准单元性能还是可达工作频率，密度也没给数字，能否对标成熟的 7nm 级 FinFET 无从判断，后者已有成熟良率和设计生态。最大的短板在配套：新闻稿没有给出任何电子设计自动化（EDA）厂商和 IP 供应商的表态，而这恰恰最难补。对欧洲开发者而言，这还意味着能拿到本地制造的更先进制程，不再依赖亚洲或美国的先进代工厂。