【三星与台积电联手开发3纳米基底芯片】据最新消息，英伟达为下一代AI加速器开发的定制高带宽内存NVHBM，将促使长期竞争的三星电子和台积电展开合作，共同打造基于3纳米工艺的基底芯片（Base Die）。报道称，三星在HBM产品开发上历来采用“交钥匙”模式，即核心存储芯片（Core Die）与基底芯片均由自身完成设计和制造。然而，英伟达定制版NVHBM对制造流程提出了更严格的标准化要求，因此三星与台积电被要求共同参与3纳米基底芯片的开发工作，以形成统一产品规范，并减少后续质量验证步骤。除三星外，美光和SK海力士也被纳入这一计划。英伟达希望通过统一制造流程，使不同供应商提供的HBM产品能够实现一致性能表现。