半导体领域提到的枝晶（Dendrite），绝大多数不是金属凝固枝晶（Dendrite），而是电化学迁移（Electrochemical Migration, ECM）生成的金属树枝状结晶，属于可靠性失效缺陷之一，常见于芯片钝化层、引线框架、BGA 焊球、键合 pad、封装塑封料界面、功率器件终端区的高湿环境、离子污染和偏压同时存在的场景。枝晶（Dendrite）生长主要源于电化学迁移（ECM）。当器件表面存在水分（或冷凝水膜）并溶解了离子污染物（如助焊剂残留、氯离子）时，会形成一层薄电解质。在偏置电压下，阳极金属发生电化学溶解，金属离子穿过电解质向阴极迁移并沉积，逐渐长成枝晶（Dendrite）。条件缺一不可：电解质液膜、偏压、可迁移金属离子。在半导体制造中的具体场景体现在化学机械抛光（CMP）过程中，铜互连 CMP 时，抛光浆料中的导电颗粒和化学活性剂，在互连间电势差作用下，可能诱发铜枝晶（Dendrite）生长，导致本应绝缘的互连线短路。另一就是在封装与互连可靠性时，铜因导电导热性好而被广泛用于功率器件封装互连。在潮湿含氯环境中，铜互连易发生电化学迁移（ECM），枝晶（Dendrite）生长会导致漏电或短路失效。另外，枝晶（Dendrite）与“锡须（Tin Whisker）”二者常被混淆，但成因不同。二者的区别是锡须（Tin Whisker）是锡镀层内部压应力驱动的自发单晶挤出，不需要电场和水分；枝晶（Dendrite）则是电场驱动的电化学沉积产物，必须有电解质和偏压参与。因此，枝晶（Dendrite）一旦桥接导体，会造成永久性或间歇性短路，在低电压、高阻抗电路中尤为危险，因为短路电流可能不足以将其熔断。防控思路主要包括：彻底清洗去除离子污染、控制环境湿度、优化绝缘设计，以及在 CMP 等工艺中通过电路设计（如引入反偏二极管）阻断枝晶（Dendrite）形成电流。而半导体器件中的枝晶（Dendrite）是电化学迁移（ECM）导致的导电结晶缺陷，是潮湿环境下互连短路失效的重要机理之一。