这次在工博会亮相的朗道燧岩EUV光源样机，依托清华大学等离子体方向的技术积累，采用行业主流的激光轰击锡滴产生等离子体的技术路线。样机国产化率达到90%以上，已经能够开展基础曝光实验，公开指标上EUV输出功率超过15瓦，连续运行时长可以达到100小时以上，已经打通基础原理链路，并且获得产业资本投入。
我们需要客观区分原理样机和产线商用光源的巨大差别。阿斯麦用于先进制程产线的EUV光源，需要达到数百瓦的输出功率，还要满足工厂全年长时间、高稳定性不间断运行的严苛标准。现阶段这款15瓦样机，只是原理验证阶段的成果，企业自身预估距离达到工业可用、量产落地，还需要3到5年持续迭代。
同时光源只是EUV光刻机众多核心子系统里的一环。整套EUV设备还包含超高精度反射光学系统、超精密工件台、掩模系统、超高真空控制、污染抑制等一系列高难度模块，每一块都有极高的工程门槛。光源取得突破，不等于能够直接造出完整EUV光刻机。
但这项进展的价值同样值得认可。它证明国内这条技术路线是可行的。即便暂时无法直接上芯片产线，这台样机也可以作为实验平台，支撑光刻胶、反射镜片、检测组件等上下游配套材料和零部件的测试研发，带动相关产业链同步积累技术经验。
半导体前沿攻关是漫长的过程，从原理样机、工程样机，再到稳定工业装备，中间要反复解决功率提升、锡污染控制、长时间可靠性等大量工程难题。既不能因为一台样机就高估进度，也不宜否定阶段性突破的意义，后续的功率提升、稳定性优化、产业链配套情况，还需要持续观察官方披露的信息。