韩国半导体巨头三星电子和SK海力士据报计划升级在华工厂以生产更先进的存储晶片，应对中国竞争对手长江存储的崛起，并满足人工智能（AI）领域日益增长的需求。路透社星期三（10月21日）引述四名知情人士报道，三星和SK海力士计划在中国工厂生产超过200层的NAND闪存晶片，缩小与韩国先进产线的技术差距。

三星和SK海力士已向路透社证实，正在升级中国工厂，并就相关计划与美国政府密切磋商，但未透露具体生产安排。两名知情人士透露，三星位于陕西西安的工厂目前生产约200层的NAND晶片，占公司全球NAND产量约40%。三星正通过内部代号为“Monami”的计划，改造西安工厂以生产286层的第九代V9 NAND晶片，目标是在今年12月实现每月生产5000片晶圆，并于2027年12月提高至每月4万片。“Monami”源自法语“我的朋友”。

另一方面，SK海力士正计划将辽宁大连工厂生产的NAND晶片，从目前的192层升级至240层或以上。知情人士透露，SK海力士已获准在大连生产最高240层的晶片，并可能进一步向美国申请许可，在当地研发超过300层的晶片，为未来在美国生产相关产品奠定基础。SK海力士正与特朗普政府讨论在美国兴建一座新的NAND晶片工厂。