当地时间9月9日，高盛发布最新研报，明确指出存储芯片行业下行周期最糟糕的阶段已经结束。这一判断直接引爆全球存储板块，SK海力士股价单日大涨7.05%创历史新高，美光科技、闪迪同步上涨，近一个月内三大巨头股价均实现显著上行。
一、核心数据：行业拐点已现，AI重构存储逻辑
价格持续上行
TrendForce数据显示，2026年一季度一般型DRAM和NAND闪存合约价格环比分别上涨90%—95%、55%—60%；二季度DRAM合约价格环比上涨58%—63%，NAND闪存合约价格环比上涨70%—75%。高盛9月1日报告也确认，三季度DRAM与NAND平均售价走势符合预期，整体仍处于景气上升通道。
供需缺口扩大
高盛2月研报预测，2026年全球DRAM、NAND闪存、HBM的供需缺口分别达到4.9%、4.2%和5.1%，均为2011年以来最高水平。三星、SK海力士的存储半导体库存已降至不足10天，HBM4所需晶圆是传统DRAM的三倍，产能倾斜导致传统存储供应受限。
AI需求爆发
单台AI服务器的DRAM用量是传统服务器的8倍，NAND用量是3倍，AI服务器贡献了超50%的DRAM总需求。2026年全球AI服务器出货量超过320万台，对RDIMM的总需求达到数千万根量级，64GB RDIMM单价从255美元跳升至450美元，预计年内冲击1000美元。
二、独立见解：存储芯片从“周期品”变“战略物资”
高盛的判断并非简单的周期反转，而是AI算力需求彻底重构了存储芯片的产业逻辑：
需求结构逆转
过去存储芯片的需求主要来自手机、PC等消费电子，占比超70%；现在AI数据中心的需求占比已从20%跃升至60%以上，成为核心增长引擎。这意味着存储芯片不再依赖消费电子的换机潮，而是有了算力基建这个“刚性饭碗”。
产能结构性短缺
三大原厂将70%的新增/可调配产能向HBM倾斜，挤压了传统存储的产能，导致HBM产能缺口高达50%—60%，而消费电子存储也出现供应紧张。这种结构性短缺使得存储价格的上涨具有更强的持续性，而非短期脉冲。
行业弱周期化
AI算力需求随大模型参数和token调用量指数增长，使得存储芯片的需求从线性变成指数级，行业周期波动幅度收窄，景气持续时间拉长。摩根大通预计，由AI带动的存储器上升周期将持续超过5年，SK海力士未来两年每股盈利复合年增长率将达34%。
三、后市展望：存储板块的机遇与风险
短期催化剂明确
美光科技将于9月30日公布2026财年第四季度业绩，这份财报将成为验证高盛看多逻辑的关键。如果业绩超预期，将进一步推动存储板块上涨。
长期增长空间广阔
2026年全球存储市场规模预计达2200亿美元，年复合增长率约8.3%。HBM市场规模预计增长58%至546亿美元，占DRAM市场近四成；企业级SSD需求增速显著，预计年增14%。
风险不容忽视
存储行业仍存在周期性风险，存储芯片价格、产能扩张以及消费支出仍可能快速转向。此外，行业竞争加剧，国内厂商如长江存储、长鑫存储的崛起，也可能对全球存储格局产生影响。
结语
高盛的判断标志着存储芯片行业进入了一个新的发展阶段，AI算力需求的爆发将存储芯片从“周期品”变成了“战略物资”。短期来看，存储板块有望迎来一轮强势行情；长期来看，AI驱动的存储超级周期将持续数年，为行业带来广阔的增长空间。投资者应关注行业龙头企业，同时警惕周期性风险。
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风险提示：本文仅为行业客观分析，不构成任何投资建议，市场有风险，投资需谨慎。