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国产DRAM龙头长鑫科技公布4F²架构重大技术进展，依托自研VSG垂直环绕栅晶体管，有望突破传统6F²架构的物理极限，走出一条不依赖EUV光刻机的存储芯片换道路线。

在第四届集成芯片和芯粒大会上，长鑫总裁曹堪宇详解4F²技术方案。当前全球DRAM主流采用6F²单元架构，长鑫4F²架构将存储单元面积压缩，同等晶圆面积下存储密度提升30%-50%。核心创新VSG垂直晶体管，将晶体管竖立排布，栅极从四周包裹硅沟道，强力抑制漏电与短沟道效应，解决DRAM微缩最大难题。

不同于传统工艺单纯缩小光刻尺寸，4F²属于底层器件架构革新，无法沿用旧产线设计。整套方案搭配混合键合技术，存储阵列与外围逻辑分开制造再互联，两套工艺独立优化。长鑫计划在2026年底推出基于该路线的DDR5 RDIMM服务器内存产品，瞄准AI服务器内存市场。

消息传出后，海外存储板块出现波动，市场担忧国产DRAM加速追赶，冲击三星、SK海力士、美光长期垄断格局。长鑫目前已布局数百项相关专利，依托DUV多重曝光+架构创新，持续推进DRAM技术迭代。

风险提示：4F²架构尚处于研发推进阶段，距离大规模量产仍有较长周期，行业存储周期波动、海外同业竞争加剧均会影响产业化落地。本文仅为行业资讯，不构成任何投资建议。