一台传了三代的 iPhone 7 Plus，这个系列应该是苹果开始大规模采用 TLC NAND 颗粒的机型了，配图这台 128GB 版本用的是 15nm 的 TLC 颗粒，设计的擦写次数只有 900 次。

但实际查看这台机器的 NAND 数据，经过这么多年的使用，至今没有产生新的坏块，这也说明苹果在 TLC NAND 上做了比较激进的优化，比如通过 TLC 模拟 SLC 的方式，提高写入可靠性和擦写次数，模拟 SLC 后的区域擦写次数能达到 3 万次。

从硬盘的分析报告中也能看到一些区别，MLC 颗粒的读写主要发生在正常的存储区域，而 TLC 颗粒的读写基本都集中在中间管理区域，这也说明不同的颗粒在管理策略上也有差异。

这次苹果如果在 iPhone 18 Pro 系列的 1TB、2TB 版本上用 QLC 的颗粒，也不能简单认为 QLC 就一定意味着寿命不足，通过算法优化，同样可以让 QLC 在消费设备中拥有非常长的使用寿命，换句话说，哪怕设备用到报废，NAND 颗粒本身可能都还没有达到坏。