台积电2nm、3nm，大扩产

据报道，台积电持续冲刺先进制程产能，供应链传出消息，台积电首次披露明年最新2/3纳米扩产目标：2纳米月产能从今年底的9万片，到明年中期提升至11万片，增幅22%；3纳米月产能从今年底的超18万片，到明年中期达到21万片，增幅超16%。
随着两大先进制程全力投产，台积电资本开支预计将增长，明年营收也将再创新高。
供应链透露，台积电近期首次对外释放明年2/3纳米扩产规划，希望合作厂商一同全力推进。据了解，台积电3纳米月产能在去年底达到12万‑13万片，今年底将进一步扩充至18万片。尽管2纳米实现量产后，3纳米已经不再是台积电最先进制程，但市场需求依旧旺盛，台积电因此持续扩大3纳米产能，目标到明年中期3纳米月产能突破21万片，半年增幅超一成；换算来看，2025年底至2027年年中这一年半时间，产能增幅接近七成。
在2纳米方面，供应链表示，台积电今年底月产能将达到9万片，明年中期进一步提升至11万片，半年产能增幅超两成。
台积电此前表示，2026年资本支出将落在600亿‑640亿美元区间，其中约70%‑80% 投入先进制程。公司正在新建三座3纳米晶圆厂，分别布局于中国台湾、美国亚利桑那州以及日本；同时，还在中国台湾持续改造5纳米设备，用来扩充3纳米产能。
台积电还在持续攻坚2纳米以下更先进制程技术，包含A16、A14、A13、A12等工艺节点。此前台积电与阿斯麦共同宣布开展合作，推动高数值孔径极紫外光刻（High‑NA EUV）从目前的6英寸光罩，向尺寸更大的12英寸光罩迁移。
台积电布局下一代先进制程，得到素有 “全球半导体产业大脑” 之称的比利时微电子研究中心（imec）的技术支持。imec宣布，联合阿斯麦以及材料供应商，在高数值孔径极紫外光刻技术上取得新进展：对行业沿用多年的化学放大光刻胶（CAR），完成22纳米间距导线的单次图形化，并且验证多款贴近真实芯片设计的复杂结构。这表明成熟的化学放大光刻胶技术有机会延续应用至A14、A10等埃米级工艺，可用于部分关键金属层以及通孔层。
台积电刚刚发布8月业绩情况，受惠人工智能、高性能计算需求持续强劲，以及2纳米、3纳米等先进制程需求升温，8月合并营收冲上约新台币5148亿元，较7月增加约10.1％、较去年同期大增约53.3％，一举超越7月的4675.8亿元新台币，持续改写单月历史新高纪录，第三季运营冲刺财测高标的态势更加明朗。
累计今年前八月，台积电合并营收约达3.39万亿元新台币，较去年同期约2.43万亿元新台币增长约39.3％，在AI加速器、定制化ASIC、高端智能手机芯片及先进封装需求同步加持下，全年美元营收增长逾四成目标持续推进。
从需求结构观察，AI仍是台积电最强劲成长引擎。云服务供应商持续扩建AI数据中心，带动NVIDIA、AMD等AI GPU，以及大型CSP自研ASIC加速器需求，先进制程与CoWoS等先进封装产能维持高位利用率；另一方面，下半年智能手机新品陆续上市，也推升3纳米先进制程拉货。
更值得注意的是，2纳米已正式进入营收放量期。随着高性能计算及智能手机客户陆续导入N2制程，2纳米营收贡献将逐季增加，成为台积电下半年至2027年另一条成长主线。相较过去先进制程转换周期，本轮AI带动的算力需求，使2纳米与3纳米需求形成世代交叠，而非单纯制程替代，有利于台积电先进制程产能利用率维持高位。