一个小观察，同一颗主控搭配不同的 NAND Die，给出的设计擦写次数是不一样的，目前发现 S6E 主控搭配海力士的 V9 颗粒上，pSLC 区域设计 P/E 翻了一倍，达到了 20 万次，其他的比如海力士 V4/V5/V7、东芝/铠侠 G5/G8、闪迪 G4/G5，pSLC 区域设计 P/E 都是 10 万次。
这里也防个误读，这个设计擦写次数并不是用到就坏的寿命，一般用户很难写到这个标称值，就算真写到了，也并不等于硬盘立刻就挂，很多人把它直接当成硬盘的使用寿命是不对的。
一个小观察，同一颗主控搭配不同的 NAND Die，给出的设计擦写次数是不一样的，目前发现 S6E 主控搭配海力士的 V9 颗粒上，pSLC 区域设计 P/E 翻了一倍，达到了 20 万次，其他的比如海力士 V4/V5/V7、东芝/铠侠 G5/G8、闪迪 G4/G5，pSLC 区域设计 P/E 都是 10 万次。
这里也防个误读，这个设计擦写次数并不是用到就坏的寿命，一般用户很难写到这个标称值，就算真写到了，也并不等于硬盘立刻就挂，很多人把它直接当成硬盘的使用寿命是不对的。