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新一轮涨价周期临近:半导体硅片产业格局梳理前言:综合供需格局、能源成本及AI需求

新一轮涨价周期临近:半导体硅片产业格局梳理

前言:综合供需格局、能源成本及AI需求等因素,26Q2有望成为海外12寸硅片涨价节点,进而带动国内跟涨,开启半导体硅片新一轮量价齐升周期。

一. 硅片分类

硅是地壳含量第二的元素,具备优异的半导体特性、热稳定性与机械加工性能,是制造集成电路、光伏电池的主要材料:

(1)半导体硅片:纯度9N-11N,又称晶圆,作为芯片制造基底材料,支撑后续光刻、蚀刻等工艺,形成晶体管和电路结构。

(2)光伏硅片:纯度5N-6N,作为电池片基材,晶体缺陷容忍度、表面精度等性能指标要求略低。

二. 半导体硅片分类

2.1 按尺寸分类

硅片尺寸越大,单片可制造的芯片数量就越多,芯片单位成本随之降低,故大尺寸化是长期趋势。

(1)12英寸:市场占比75%,用于逻辑芯片(如CPU、GPU)、存储芯片(如DRAM、NAND Flash)。

(2)8英寸:市场占比20%,用于成熟制程,如MCU、模拟芯片、功率器件。

(3)6英寸:市场占比5%,用于二极管、晶闸管等分立器件。

2.2 按工序分类

(1)抛光片:基础产品,经切割、研磨、抛光制成,其他硅片产品均基于抛光片进行二次加工。

(2)退火片:抛光片经高温退火处理,消除晶格缺陷、提升表面平整度,适配先进制程。

(3)外延片:抛光片表面气相沉积单晶硅层,可精准调控电阻率,适配CIS、功率器件。

(4)SOI片:采用硅-绝缘层- 硅三层结构,可实现高电绝缘性,适配射频前端、汽车电子。

2.3 按掺杂分类

(1)轻掺硅片:低掺杂浓度,电阻率高、晶格缺陷少,适配先进制程逻辑、存储芯片。

(2)重掺硅片:高掺杂浓度,电阻率低,适配功率器件、模拟芯片。

三. 制备工艺及行业格局

3.1 制备流程

核心环节:高纯多晶硅制备→单晶拉制(直拉法/区熔法)→晶棒截断滚磨→切片→倒角→研磨→腐蚀→抛光→清洗→检测封装。

3.2 行业特征

(1)重资产长周期:单条产线投资达数十亿元,扩产周期18-24个月。

(2)高壁垒:对硅片平整度、缺陷密度要求逼近物理极限,产品认证周期长,客户粘性极强.

(3)强周期属性:供需格局与下游晶圆厂扩产节奏强相关,错配易引发价格波动。

(4)寡头格局:信越化学(日)、SUMCO(日)、环球晶圆(台)、Siltronic(德)、SK Siltron(韩)五大厂商合计全球市占率超90%。

3.3 国内供应格局

沪硅产业:国内12寸半导体硅片龙头,产品覆盖轻掺/重掺全品类,进入全球主流晶圆厂供应链。

立昂微:国内重掺半导体硅片龙头,产品覆盖6-12寸抛光片、外延片。

有研硅:主营半导体硅抛光片、刻蚀设备用硅材料、半导体区熔硅片,收购DGT实现从硅材料到硅部件的业务延伸。

西安奕材:国内SOI硅片龙头,产品覆盖12寸外延片、抛光片、测试片。

上海合晶:专注低阻重掺硅片,8寸重掺抛光片国内领先,深耕功率器件与模拟芯片。