磷化铟，关联公司梳理！（附名单）

AI算力爆发拉动磷化铟需求激增，而上游原料受限、扩产周期长达2-3年，当前供需缺口或超70%，成为最紧缺的半导体材料之一。

[比心]本期梳理A股跟磷化铟产业不同环节的关联公司，分享给大家一起探讨。

注意：本文仅对权威公开信息做梳理，以下内容绝不构成任何投资建议、引导或承诺，仅供学习研究之用。


一、上游高纯铟原料环节

‌覆盖铟矿开采、4N-8N高纯金属铟提纯、磷化铟多晶原料合成，是整个产业的原料根基。

‌铟是稀散伴生金属，无法独立扩产，叠加国内对高纯铟实施出口管控，直接从源头限制了全球磷化铟的总产能天花板，是缺口形成的底层刚性约束

‌[微风]锡业股份：全球原生铟产量龙头，2025年原生铟产量约100吨级，国内占比约25-30%，是国内多数磷化铟衬底厂商的核心原料供应商。

[微风]华锡有色：国内铟资源核心企业，保有铟金属储量居国内第一梯队，具备规模化原生铟提炼与精铟产能，是国内磷化铟产业链重要原料供给方。

‌[微风]有研新材：央企背景，可自产7N超高纯铟，承担国家02专项磷化铟项目。

‌[微风]株冶集团：国内主要铟生产商之一，年精铟产能60吨，高纯铟产品稳定外销，成本优势突出。


二、中游磷化铟衬底核心环节

‌分为单晶衬底、外延片两大板块，通过VGF长晶、精密抛光、MOCVD薄膜沉积等工艺，产出光芯片的核心基底与功能层，是全链技术壁垒最高的环节。

‌全球90%以上产能被海外三家寡头垄断，国内6英寸大尺寸衬底良率爬坡慢、高端MOCVD设备交付周期超7个月，是当前供需缺口最核心的卡点，直接决定下游光模块的产能上限。


‌[微风]云南锗业：磷化铟衬底核心企业，控股子公司鑫耀半导体由华为哈勃持股23.91%。2025年底磷化铟晶片产能15万片/年，2026年4月启动扩产，达产后总产能45万片/年，国内市占率提升。

‌[微风]博杰股份：通过参股珠海鼎泰芯源切入赛道，合计持股24.68%。鼎泰芯源是国内较早自主量产的InP衬底产线，目标产能20万片/年。


三、外延代工与光芯片环节

将磷化铟外延片加工为EML激光器、光电探测器等光芯片，最终封装成800G/1.6T高速光模块，落地到AI数据中心、车载激光雷达等终端场景。

AI算力爆发拉动需求年复合增速高企，下游需求的指数级增长，进一步放大了上游原料和中游制造的供给缺口，是本轮供需失衡的核心需求驱动端。

‌[微风]三安光电：国内唯一具备6英寸磷化铟外延片全链量产能力的IDM厂商，800G用EML芯片已批量出货，进入华为供应链。

‌[微风]海特高新：旗下海威华芯提供6英寸磷化铟外延代工，2026年2月突破1.6T光模块外延片技术。

‌[微风]源杰科技：A股InP光芯片IDM核心标的，50G DFB芯片国内市占率超40%，100G EML芯片已量产，批量供货中际旭创、新易盛。

‌[微风]光迅科技：央企垂直整合平台，200G EML已实现稳定小批量出货。

[微风]南大光电：国内MO源龙头企业，量产三甲基铟等磷化铟外延制备核心前驱体材料，适配6英寸InP外延工艺，深度绑定国内主流外延及光芯片厂商。