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重大突破!利好存储!北方华创宣布3D DRAM刻蚀取得重大突破,可以绕过EUV制

重大突破!利好存储!北方华创宣布3D DRAM刻蚀取得重大突破,可以绕过EUV制造先进存储,有了预期了

不过不是已经量产设备、不是长鑫马上就能造3D DRAM;只是实验室论文成果,原理跑通,有中长期产业价值,短期偏情绪催化,

国产存储找到了一条绕开EUV封锁的远期备选路线,长期价值很大,短期只是情绪刺激,业绩兑现非常遥远。