Manish Bhatia表示指出，在AI应用需求的推波助澜下，其“1-gamma（1-γ）”制程正按计划推进，预计在2026年年中成为产量主力，如果以总晶圆出货量来计算（total-wafer out basis），将成为公司史上产量最高的DRAM制程。主要用于AI GPU的HBM所需的DRAM，通过这DRAM进行垂直堆叠，然后封装整颗芯片。美光表示，会持续将极紫外光（EUV）光刻技术，与1-gamma内存生产线深度整合。

在产量方面，美光透露，受益于AI强劲需求，HBM4的产能爬坡（ramping up）速度，比之前的HBM3/HBM3E快上两倍，且良率改善的速度也更为迅速。

美光将HBM4 产能得以加速推进归功于三大因素，首先是从过去量产HBM3 及HBM3E 产品中所累积的营运经验与学习效应；其次，HBM4 的核心芯粒（core dies）采用了美光目前主力的10nm级第五代1-beta (1β) 制程，该制程的效能与良率已证实相当稳定；第三，则是美光内部最佳化的基础芯片（base die），通过将1β DRAM 与内部自制的基础芯片结合，成功将产品的品质与性能最大化。

另外，对于下一代的HBM4E内存，Manish Bhatia 表示，HBM4E 的开发进展顺利，预期2027 年正式启动产能爬坡，其首款样品将采用1-gamma制程制造的DRAM模块。其中在核心芯粒方面，将改采10nm级第六代1-gamma (1γ) 制程生产，这也是美光首个采用ASML 极紫外光（EUV）设备的制程节点，技术层级相当于对手三星和SK海力士的1c DRAM制程。而在基础芯片方面，美光将不再由内部制造，而是转交由晶圆代工伙伴台积电负责生产。

首批量产的HBM4E内存将是JEDEC 标准产品，同时美光也在筹备针对客户需求量身打造的定制化产品。虽然定制化版本的成本较高，但凭借其提升的效能与额外附加功能，美光预期客户需求将非常强劲。

在市场竞争方面，三星电子与SK 海力士同样正运用各自的1c DRAM制程积极开发HBM4E。三星计划于2026 年第二季出货首批HBM4E 样品，其基础晶片将采用三星自家晶圆代工厂的4nm制程制造。 SK 海力士则目标在2026 年下半年向客户提供样品，并于2027 年展开量产，其基础芯粒据传也将采用台积电的3nm制程生产。

美光还指出，AI上下文窗口（context windows）扩大、加上推理工作负载增加，让公司得以扩大固态硬盘（SSD）市场的市占率。

美光认为，由于HBM、NAND和DRAM芯片的产能难以在短时间内拉高，因此这种供不应求的局面预计会维持好一段时间。

摩根大通也进一步分析称，随着内存技术持续演进，其性能提升的幅度开始放缓，且下一代HBM的芯粒尺寸（die sizes）变得更大。此外，EUV技术在最新DRAM的制造过程中，也扮演着举足轻重的角色。

编辑：芯智讯-浪客剑