在半导体设备这条被少数国家把持的赛道上，2025年下半年冒出的一份俄方文件，让业界重新审视这个北方邻居的分量。

俄罗斯科学院微结构物理研究所把EUV光刻机的十年计划摊到了桌面上，配套的技术方案与主流路线完全不同，官方口径也颇为强硬，甚至暗示自己拥有EUV光刻机的核心技术储备，在推进节奏上有把握跑到中国前面。这样的表述值不值得当真，需要把老底子、新进展和路线图一起摆开来看。

​俄罗斯敢在EUV这个高门槛领域抛出自己的时间表，靠的不是临时抱佛脚，而是从苏联时期沉淀下来的一批科研遗产。早在上世纪70年代，当时的苏联就已经掌握了EUV照相光刻的相关技术。

即使在苏联解体后，俄罗斯的科学家们也一直在该领域默默耕耘，为EUV光刻机的关键技术开发做出了重要贡献。多层反射镜、等离子体光源、同步辐射装置这些看似基础的方向，在冷战年代就已经进入过俄方实验室的日程。

真正让俄罗斯敢喊出＂核心技术＂这四个字的，是11.2纳米这条独立赛道背后的部件积累。与ASML采用激光轰击金属锡滴产生13.5nm波长EUV光源不同，俄罗斯光刻机方案选择基于氙气的激光器来产生波长为11.2nm的EUV光源，不仅能将分辨率提升约20%，还可以简化设计并降低整个光学系统的成本。

俄罗斯科学院微观结构物理研究所认为，由于光刻工艺的简化，11.2nm的光刻技术将成为193nm浸没式DUV光刻机的真实替代品。这一表述在2025年9月经由该研究所发布，随后被多家国际科技媒体转载。

​反射镜是EUV设备最难啃的骨头之一。ASML EUV光刻机的反射镜采用的是硅与钼的镀膜反射镜，而11.2nm波长的EUV光刻机则需要由钌和铍（Ru/Be）制成的反射镜。

俄方之所以选钌铍合金，与他们在多层膜工艺上的长期投入有直接关系，这也是苏联时代留给现代俄罗斯半导体人的一份现成资产。氙气作为光源材料，可消除损害光掩模的碎屑，从而大幅降低设备维护需求，这也是俄方反复对外强调的差异化卖点。

​理论积累讲了几十年，真正端出实物是在2025年。2025年3月25日，莫斯科市长谢尔盖·索比亚宁在其电报频道发文称，莫斯科泽列诺格勒纳米技术中心已完成了俄罗斯首台350nm光刻机的研发工作。

索比亚宁指出，全球有能力制造这一微芯片关键生产设备的不到10个，俄罗斯已跻身其中。这台设备的合作方来自白俄罗斯Planar工厂，靠的是俄白两国之间延续了几十年的微电子协作关系。

​从技术参数看，这台机器并不算激进。该设备是一款对准和投影曝光装置，核心指标为350纳米（0.35微米）分辨率，采用365纳米波长i线紫外光源，可处理200毫米标准晶圆，对准精度达90纳米。

项目由泽列诺格勒纳米技术中心与白俄罗斯Planar工厂合作实施，在2024年12月测试成功后，光刻机获得了国家委员会的认可，并记录了所有申报的技术特征。设备最大的技术差异之处在于首次使用固体激光器来作为辐射装置，而不是汞灯，固体激光器功率大、能效高、耐用性强、光谱更窄。

进入2026年之后，这台机器不再只是展台样品。2026年3月19日的报道显示，由泽列诺格勒纳米技术中心自主研发的新型光刻系统已正式纳入俄罗斯国家工业信息系统（GISP）国家工业设备名录，意味着俄罗斯在构建独立半导体制造生态系统、打破西方技术封锁上，迈出了从实验室研发到工业化部署的实质性一步。

虽然这一制程节点与全球最尖端的3纳米工艺存在代差，但在工业体系中依然具有极高的实用价值，具备量产工业级芯片能力，可应用于电源管理、汽车电子、航空航天控制及嵌入式系统等领域。

​对俄罗斯自己而言，先解决＂有没有＂再谈＂好不好＂的思路很清晰。俄罗斯工业和贸易部副部长Vasily Shpak此前表示，45nm以下的工艺只对处理器和存储器有意义，而这些只占10%到15%。

所有其他微电子器件，包括微控制器、电力电子器件、电信电路、汽车电子在内，未来许多年内对65到350nm工艺仍会保持需求，占市场的60%。这一表态基本奠定了俄方设备研发的市场逻辑。下一站是130纳米，泽列诺格勒纳米技术中心目前正在按第二份国家合同继续开展130nm光刻机的研发工作，预计于2026年完成。

如果说350纳米只是热身，那2025年9月披露的三段式路线图，才是俄罗斯真正的野心所在。根据这份路线图，俄罗斯的EUV光刻机项目将从2026年开始，初期采用40纳米制造技术，并计划延伸至2037年，届时将整合亚10纳米的制造工艺。

​第一段落在起步阶段，重在把架子搭起来。2026年到2028年的第一阶段，将推出支持40纳米工艺的光刻机，配备双反射镜物镜系统，套刻精度达10纳米，曝光场最大3×3毫米，每小时吞吐量超5片晶圆。这样的产能显然不足以支撑大型晶圆厂，但对俄方来说，把整条工艺链跑通的意义远比数字重要。

​第二段是从可用走向可靠的关键转折。2029年到2032年的第二阶段，将推出支持28纳米（可向下兼容14纳米）的扫描式光刻机，采用四反射镜光学系统，套刻精度提升至5纳米，曝光场26×0.5毫米，每小时吞吐量超50片晶圆。

该阶段设备将整合进俄罗斯本土芯片生产线，开始验证技术生态的闭环能力，这意味着俄方希望在2030年前后拿出可支撑本土工业需求的成熟产品。

第三段直接对标行业尖端。2033年到2036年的第三阶段，面向亚10纳米制程，搭载六反射镜配置，套刻精度达2纳米，曝光场最大26×2毫米，每小时吞吐量超100片晶圆。整个技术路径覆盖65nm至9nm的宽泛制程需求，单位成本预计比ASML的Twinscan系列低30%以上。

​俄方之所以有底气说自己能比中国更快造出EUV设备，一部分原因在于路线本身设定了一个明确的完工时点，另一部分则来自这种非对称打法带来的操作空间。这些光刻机的目标不是面向超大规模晶圆厂，而是旨在降低小型代工厂的采用成本。然而，这个计划的可行性尚不清楚。国际观察者对此并不完全买账。

11.2nm波长虽然理论上能带来约20%的更高分辨率和更简单的光学结构，但也面临巨大的生态挑战。所有支持技术，包括反射镜、光刻胶、掩模乃至EDA工具，都需要针对新的波长重新设计和校准。分析人士警告称，尽管俄罗斯的路线图列出了清晰的路径，但在生态系统建设、成本和产能方面仍面临重大障碍。

对于中俄之间的赛跑说法，也需要放在更真实的语境里审视。中国在光刻机领域的推进走的是另一条路，从DUV浸没式突破开始，围绕上海微电子等国内力量搭建完整体系，同时在光源、光学、材料、软件等环节全线布局。

中方并没有把宝押在单一波长上，节奏也更贴近实际产业需求。俄罗斯敢喊＂更快＂，本质是选了一条差异化跑道，回避了追赶ASML主线路径的成本压力，但差异化跑道能不能真的跑通，还要看未来十年配套材料、光刻胶、掩模、检测设备是否能同步跟上。

​更值得留意的是俄方对自己的资源禀赋有清醒判断。多层膜、氙气等离子体、固态激光这些环节，恰恰是俄罗斯科学院系统内长期保留的强项，把资源集中到这里比全面对标ASML更符合他们的国情。

至于2036年前后能不能真拿出可交付的EUV整机，答案还需要等到2028年首台40纳米样机跑出实际参数后，才能有一个初步的判断依据。中国走中国的路，俄罗斯走俄罗斯的路，两条不同的技术曲线在未来十年内会怎样彼此参照、彼此借力，这才是这份路线图给整个行业带来的更有价值的观察点。

​参考资料：

​新浪科技：《俄罗斯光刻机路线图曝光：2036年底前完成EUV光刻机研发！》，2025年9月29日，

​快科技：《俄罗斯光刻机破冰！已搞定自研350nm光刻机》，2026年3月19日，

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