芯闻简讯:SK海力士引入英特尔EMIB，下一代HBM 3D封装

8月24日消息，在Hot Chips 2026大会上，全球存储巨头SK海力士正式披露了其下一代高带宽内存（HBM）解决方案的先进封装技术路线图。

SK海力士封装工程副总裁Jaesik Lee在题为“高带宽内存的先进封装”的主题演讲中明确表示，公司正积极引入包括英特尔EMIB在内的前沿封装技术，并计划在未来迈入真正的3D封装阶段，以应对AI时代日益严苛的算力与带宽需求。

SK海力士的最新路线图中，HBM4将成为顶级旗舰产品。该产品DRAM密度高达24Gb，容量最高可达48GB，IO位宽增至2048个，带宽更是突破2TB/s大关。此外，HBM4在功耗效率上提升超40%，耐热性较HBM3E改善14%以上，其封装内部集成了超过2万个TSV（硅通孔）和1.6万余个底部微凸点。

为突破16层堆叠的物理极限，SK海力士正在加速探索混合键合（Hybrid Bonding）等前沿技术。数据显示，相较于传统的MR-MUF工艺，混合键合不仅能使核心芯片厚度增加24%，将TSV间距缩小至18微米以下，还能在增加堆叠层数的情况下，将热阻大幅降低35%。

在系统级封装层面，SK海力士的幻灯片展示了其在2.5D HBM方案中对英特尔EMIB（嵌入式多芯片互连桥接）技术的整合。

未来，SK海力士的终极目标是实现与逻辑芯片更紧密的3D集成，即在AI加速器之上直接堆叠HBM。

SK海力士通过此次技术路线图的全面披露，不仅展示了其在HBM领域的深厚技术储备，也向市场释放了其在先进封装赛道持续加码的强烈信号。