长鑫LPDDR6技术参数介绍

这是全球首发，LPDDR6参数与技术体系还是比较复杂的。我之前介绍过DDR1-DDR5以及LPDDR相关的基础概念，现在再重新学习下。

DDR1是2000年出来，上升沿下降沿都能传输数据，双倍了，Double Data Rate。以前普通内存叫SDRAM，只是上升沿传数据，只有老旧工控设备、嵌入式系统里还有，已经基本停产。这是一次本质的技术进步。

图一是最主要的两个指标：传输速率MT/s（单位是每秒百万次传输），电压。MT值越大，电压越小。电压小才能减少发热。LPDDR就是low power的DDR，笔记本、手机需要低功耗。

具体技术名词见图二，非常复杂，全是知识。

可以看出，DDR1到DDR6就是不断速率不断翻倍，200-400-800-1600-4800-8800。每个系列里还有不同产品，速率更高。电压2.5V-1.8V-1.5V-1.2V-1.1V-1.0V。单条芯片容量也越做越大，从1GB做到256GB了。

LPDDR的与同代DDR产品指标大致类似，就是电压情况很不一样。原理是电压小，功耗就小。DDR用一个电压一起工作了，LPDDR不同任务用多个电压域，有精细拆分。I/O 电压、核心电压、寄存器电压，要分别优化，技术上要复杂一些。有利条件是，LPDDR放在手机里，走线短，低压也能工作。DDR放在PC里，需要支持长线，电压得给足。

LPDDR6的电压方案是DVFSL（Dynamic Voltage Frequency Scaling for Low power）。意思是，当内存控制器检测到当前工作负载较低、不需要跑满速时，自动把VDD2电压降下来，同时把频率也降下来。LPDDR5有DVFS，而LPDDR6是加强版，电压可以压得更低，而且切换更灵敏。

还有一个古怪的，LPDDR6的双12bit通道，这个12不是2的次方了，有些革命性。DDR6也是24bit通道，不是2的次方。这有点像是引入“三进制”。这是因为，以前的传统电平信令叫NRZ，0和1两种状态。而LPDDR6（DDR6）引入了PAM-3信令，电平有-1、0、1三种状态（低中高）。这样传输速度又能增加了。

长鑫能把这么复杂的LPDDR6，用DUV光刻机做出来，技术水平是非常厉害的。据说长鑫招了不少人搞研发，有一些年轻高手，技术路线受限反而敢于创新，不受老一辈的技术路线束缚。这也是人才优势，很厉害的人也跑去搞很苦的芯片研发。