“光刻机没有一个国家能够做到，美国都造不出，中国根本办不到！”“中国永远都造不出光刻机？”去年，中国物理学教授朱士尧在一次采访中直接说：“美国都造不出，中国永远造不出来！”甚至认为世界上没有一个国家能够造出光刻机。

“中国永远也造不出来”，这种话听上去很有技术权威感，可真正放进工业发展史里，经不起推敲。
先纠正一个时间细节。相关言论主要在2024年传播，现在是2026年8月，已经不是“去年”，而是前年。这个细节看似不起眼，却很重要，因为讨论中国光刻机，最怕把几年前的技术状态冻结下来，再拿它推演几十年后的结果。
光刻机到底难不难？当然难。

尤其到了EUV阶段，它早已不是某个实验室攻下一道技术题那么简单。光源、投影光学、晶圆运动平台、真空系统、掩模、光刻胶、检测设备、控制软件，任何一个环节出了问题，整台机器都可能达不到量产要求。

ASML之所以强，也不是因为荷兰突然冒出了一群无所不能的工程师。它背后连着欧洲、美国、亚洲大量供应商，德国蔡司承担关键光学技术，美国企业长期参与光源等环节。ASML自己公布的数据也很说明问题，2025年公司研发投入达到47亿欧元，当年销售48套EUV光刻系统。一个已经站在全球产业顶端的企业，每年仍然要烧掉几十亿欧元继续往前跑。
所以，说先进光刻机不可能由某一个国家关起门来轻松完成，我赞同。
可问题来了。

既然ASML本身就是国际产业协作的产物，为什么同样一个事实，到了中国身上，就突然变成了“中国永远做不到”？
这里面其实混淆了两个概念。

美国目前没有一家企业生产ASML这种完整的先进EUV扫描机，并不代表美国没有关键技术。荷兰拥有ASML，也不代表荷兰一个国家能包办所有环节。同样，中国现在没有达到ASML最高水平，也不能推出几十年以后仍然无法建立自己的先进光刻技术体系。
工程能力不是一道“会不会”的选择题，而是一条不断爬坡的曲线。
中国现在走到哪里了？

上海微电子官方网站公开的SSX600系列步进扫描投影光刻机，可以满足90纳米、110纳米和280纳米部分集成电路前道光刻需求。90纳米距离全球最先进制程当然很远，可它至少说明一个最基本的事实：中国不是“没有光刻机”，真正的问题是先进程度还要继续追。
再往前看。

工信部2024年发布的《首台（套）重大技术装备推广应用指导目录》中，电子专用装备已经列入193纳米氟化氩光刻机，目录指标包括300毫米晶圆、分辨率不高于65纳米、套刻不高于8纳米。到了2026年，相关首台套保险补偿政策仍继续覆盖这份目录。这里不能偷换概念，它不等于“国产EUV已经量产”，也不能被包装成“国产28纳米光刻机正式突破”，但至少可以确认，国产高端半导体装备仍然处在持续推进和产业扶持之中。
还有一个容易被普通读者忽视的变化。

2026年3月，中国科学院物理研究所公布极紫外光源研究进展，科研团队自行研制出重复频率1MHz、平均功率200瓦的飞秒激光系统，并用于提高高次谐波极紫外光源亮度。它不是ASML量产EUV光刻机的那套锡等离子体光源，不能拿两个“极紫外”三个字直接画等号，但这类基础研究意味着，中国正在补光源、激光、检测等底层能力。
这才是最值得看的地方。

真正的技术追赶，从来不像网上短视频讲得那么痛快，不会今天宣布攻关，明天机器下线，后天ASML就失去优势。很多时候甚至很枯燥，一个轴承、一块反射镜、一套控制算法，折腾几年只换来一点精度提升。
可高端制造偏偏就是这么磨出来的。

我尤其不赞成两种极端声音。一种是“中国马上全面超越”，仿佛只要投入足够多的钱，几十年的工艺积累可以按下快进键。另一种则是“中国永远不可能”，把暂时落后包装成永恒结论。
前一种容易制造虚假兴奋，后一种则低估了工业体系变化的速度。
我的判断是，中国光刻机真正需要解决的，并不是能不能复制一台ASML，而是能不能建立自己的技术闭环。光源暂时弱，就补光源；物镜有差距，就继续磨光学；运动平台、材料、检测、软件一项项往前推。只要产业需求存在，设备能够进入真实生产线，工程师就能从故障、良率和维护数据里继续改。

这条路慢，却比喊口号可靠得多。
更何况，今天的国际半导体环境已经与十年前不同。过去全球企业追求的是最低成本和最高效率，一个零件交给德国，一个环节交给美国，哪里做得最好就从哪里买。出口管制扩大以后，产业安全的重要性越来越高。对中国而言，国产半导体装备已经不仅是商业选择，也是降低供应链风险的一道长期必答题。